Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения
Скачать
Скачать pdf
Cкачиваний: 5
Язык:
Русский (эта книга не перевод)
Опубликовано здесь:
2018-03-27
Поделиться:

В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства.

Полная версия

Читать онлайн
Рейтинг@Mail.ru