Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Скачать
Скачать pdf
Cкачиваний: 3
Язык:
Русский (эта книга не перевод)
Опубликовано здесь:
2014-01-22
Файл подготовлен:
2018-11-07 17:11:32
Поделиться:

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.

Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Полная версия

Читать онлайн
Рейтинг@Mail.ru